「パワエレ回路技術 部品特性から入門」 （No.168，2024/9/28発売）
〜トランジスタからヒューズまで！高効率・低損失な設計のために〜

本書は、部品特性からパワエレの回路技術を解説します。
高効率・低損失を実現できる注目のパワー半導体であるSiCやGaNをはじめ、シリコンのパワーMOSFETやIGBT、トランス/コイルやコンデンサ、ヒューズといった保護部品を取り上げます。

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●トランジスタ技術SPECIAL編集部 ／ 編
●サイズ：B5判
●ページ数：192ページ


【目次】
Introduction　パワエレ回路は部品からおさえるべし

第1部　パワー・トランジスタ＆ダイオードの回路技術
パワエレのコモンセンス
第1章　パワーMOSFETとスイッチング動作入門
高耐圧と低オン抵抗を両立できるSiCやGaNが期待される背景
第2章　パワーMOSFETの半導体構造とシリコンの限界
小型/高速/低損失の実力とこれからの課題
第3章　新しいパワーMOSFET…SiCとGaN
出力容量と動作周波数で用途によって使い分ける
Appendix 1　パワー半導体デバイスの使い分け方
パワーMOSFETと構造は似ているが得意/不得意が異なる
第4章　大電流スイッチング素子「IGBT」のしくみ
パワーMOSFETとIGBT，SiC MOSFETを比べる
第5章　実測比較！ SiC MOSFETと従来パワー半導体の性能
ダイオードのメカニズムと損失が発生する理由を把握する
第6章　数千V，数百Aに耐えるパワー・ダイオードのしくみ
よく使う数十W以下のスイッチング電源作りを例に
第7章　スイッチング電源に使えるダイオードの選び方
マイコン直結で200V級出力！ 高密度モジュールDIPIPM回路の研究
第8章　インバータ機器向けパワー・モジュールに見るパワエレ・パターン設計の勘どころ
数百Vより上のパワー半導体の世界もおさえる
第9章　まだ現役！ サイリスタ＆トライアック

第2部　パワー・トランス＆コイル…しくみと特性
電源回路の性能を左右するキーパーツ
第10章　スイッチング電源用トランスの基礎
トランス/コイルの最適設計に重要な指標をシミュレーションで確認する
第11章　高効率化のための基本パラメータ�@ 磁束密度
試作の前に高精度に設計検証
第12章　高効率化のための基本パラメータ�A インダクタンス
計測が難しい導体内の電流をシミュレーションで検証
第13章　高効率化のための基本パラメータ�B 電流密度と抵抗損
磁気シミュレーションの結果を回路シミュレーションに取り込む
Appendix 2　トランスのモデルと回路シミュレーションの連係
電線を使わずに電気エネルギーを伝える不思議な部品
第14章　トランスを磁気の目で見てみよう
磁気のふるまいを電気に置き換えて理解しよう
第15章　磁気回路によるインダクタンスの計算

第3部　パワエレ向けコンデンサ…しくみと特性
誘電体の材料と構造が特性を決めている
第16章　コンデンサの種類
電源の平滑回路用によく使われる
第17章　小型大容量を得られるアルミ電解コンデンサ
自動車の動力系に欠かせない
第18章　高耐圧で周波数特性に優れるフィルム・コンデンサ

第4部　パワエレに必須の保護部品…しくみと特性
役割/使われどころから種類/構造まで
第19章　ヒューズの基礎知識
エレメントの構造と溶断特性の相違
第20章　ヒューズの動作原理
感電や発煙，発火などを防ぐために決められている
Appendix 3　各国のヒューズ安全規格
定格電圧/電流からディレーティングの設定まで
第21章　ヒューズ選定の手順
電源投入時の突入電流の測り方から寿命計算まで
第22章　具体例で示すヒューズの正しい選び方
材料や環境によって沿面/空間距離が決められている
第23章　ヒューズを実装する際の考慮点
温度ヒューズ/復帰型電流保護素子/サージ吸収素子/突入電流防止回路
第24章　電流ヒューズ以外の保護素子

【店頭取扱情報】
・シリコンハウス営業所 1F